电力系统的常用名词术语解释汇编-k8凯发

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电力系统的常用名词术语解释
发布时间：2010-5-25 7:29:21  浏览量：9293  【字体： 】
第一部分
        
1  电流（current）：电荷在电场力作用下的有序运动形成电流，衡量电流大小的量是电流强度，简称电流。其量值为单位时间内通过电路某一导体横截面的电荷量。用符号i(t)表示，单位为a（安培）。
2  电压(voltage)：电场力将单位正电荷由一点移到另一点时所做的功，是衡量电场力做功能力的物理量。用符号u(t )表示，单位为v（伏特）。
3  电动势(electromotive force)：电源中的局外力（非电场力）将单位正电荷从电源负极移到电源正极所做的功，是衡量局外力做功能力的物理量。用符号e(t)表示，单位为v（伏特）。
4  电位(electric potential)：在电路中任选一点为参考点，由某点到参考点之间的电压称为该点的电位，用符号v表示，单位为v（伏特）。
5  电能(electrical energy)：在一段时间内电场力所做的功称为电能，用符号w表示，单位为j（焦耳）。
6  戴维宁定理(thevenin’s theorem)：在线性电路中，任何一个含有独立源的二端网络，对外电路而言，可以用一个理想电压源与电阻串联的电路等效代替。电压源的电压等于有源二端网络的开路电压，电阻等于有源二端网络中所有独立电源置零后的等效电阻。
7  叠加定理(superposition theorem)：在线性电路中，任一支路的电流或电压，均等于电路中各个独立电源单独作用时，在该支路产生的电流或电压的代数和。
8  基尔霍夫电流定律(kirchhoff’s current law简称kcl)：电路中任一瞬间，流入任一结点的支路电流之和恒等于流出该结点的支路电流之和。或表述为电路中任一瞬间，任一结点的支路电流的代数和恒等于零。
9  基尔霍夫电压定律(kirchhoff’s voltage law简称kvl)：电路中任一瞬间，任一回路各元件电压升之和恒等于电压降之和。或表述为电路中任一瞬间，任一回路各支路电压的代数和恒等于零。
10  欧姆定律(ohm’s law)：表示电路中电压u、电流i和电阻r三者之间关系的基本定律，即 。
11  参考方向(reference direction)：分析电路时任意假定的电流或电压的方向。规定了参考方向以后，电流或电压就是一个代数量，若电流或电压为正值，则电流或电压的实际方向与参考方向一致；否则电流或电压的实际方向与参考方向相反。
12  额定值(rated value)：各种电气设备在工作时，其电压、电流和功率都有一定的限额，这些限额表示它们的正常工作条件和工作能力。额定值一般用下标n表示。
13  功率(power)：单位时间内电路吸收或发出的电能。用符号p或p(t)表示，单位为w（瓦特）。
14  有功功率(active power)：瞬时功率在一个周期内的平均值，也称为平均功率，用大写字母p表示，单位为w（瓦特）。
15  无功功率(reactive power)：以瞬时功率的幅值来衡量电感或电容元件与电源之间交换能量的规模，称为无功功率，用大写字母q表示，单位为var（乏尔）。
16  视在功率(apparent power)：在交流电路中，端电压与电流的有效值的乘积，称为视在功率，它表示电气设备的容量。用大写字母s表示，单位为v·a（伏安）。
 17  瞬时功率(instantaneous power)：瞬时电压与瞬时电流的乘积。用小写字母p表示，单位为w（瓦特）。
 18  电阻元件(resistor)：表征电路中电能消耗的理想元件，简称电阻。用r表示，单位为（欧姆）。
19  电感元件(inductor)：表征电路中磁场能储存的理想元件，简称电感。用l表示，单位为h（亨利）。
20  电容元件(capacitor)：表征电路中电场能储存的理想元件，简称电容。用c表示，单位为f（法拉）。
理想电路元件(ideal circuit elements)：从实际元件中抽象出来的表征单一物理性质的电路元件。
电路模型（circuit model）：用理想电路元件或它们的组合模拟实际元件的电路。
22  电压源(voltage source)：提供一个恒定不变或交变电压的理想电路元件，是理想电压源的简称。
23  电流源(current source)：提供一个恒定不变或交变电流的理想电路元件，是理想电流源的简称。
24  受控源(controlled source)：电压源的电压或电流源的电流受其他电路的电压或电流的控制的电源。
阻抗(impedance)：无源二端网络的端口电压 与端口电流之比，即 。阻抗是一个复数，也常称为复阻抗。单位为（欧姆）。
26  导纳(admittance)：无源二端网络的端口电流 与端口电压 之比，即，它是一个复数，也常称为复导纳。单位为s（西门子）。导纳是阻抗的倒数。
27  阻抗角(impedance angle)：阻抗的辐角，是电路中电压与电流的相位差，由电路本身参数决定。
相量(phasor)：在正弦交流电路中，表示正弦量的复数。其模表示有效值或最大值，辐角表示初相位。
29  正弦量(sinusoid)：电路中按正弦或余弦规律变化的电压或电流等物理量。
30  相量图(phasor diagram)：将电路中的相量以有向线段的形式画在复平面上，称为相量图。
31  有效值(effective value)：正弦交流电流通过电阻r在一个周期内产生的热量与某一直流电流i通过相同电阻r在相等时间内所产生的热量相等时，则称此直流电流的数值i是该交流电流的有效值。
32  感性电路(inductive circuit)：在交流电路中，如果电路中总电压超前于总电流，则称电路为感性电路。
33  容性电路(capacitive circuit)：在交流电路中，如果电路中总电压滞后于总电流，则称电路为容性电路。
34  阻性电路(resistive circuit)：在交流电路中，如果电路中总电压与总电流同相，则称电路为阻性电路。
35  幅值(amplitude)：也称最大值，是正弦量在随时间变化的整个过程中所达到的最大值。
36  角频率(angular frequency)：正弦量的相位随时间变化的速率。
37  瞬时值(instantaneous value)：电量在随时间变化过程中某一时刻的数值。
38  相位(phase)：正弦量随时间变化的角度（ ）。
39  初相位(initial phase)：正弦量的相位（）在t=0时的值。
40  相位差(phase difference)：两个同频率正弦量的相位之差。
41  三相交流电源(three phase source)：由三个幅值相等，频率相同，彼此间具有120o相位差的正弦电源组成的电源。
42  三相交流电路(three phase alternating circuit)：由三相交流电源供电的交流电路。
43  三相四线制电路(three phase four wire system)：有中线的三相交流电路。
44  三相三线制电路(three phase three wire system)：无中线的三相交流电路。  
45  相电压(phase voltage)：三相交流电路中，相线与中线之间的电压。
46  相电流(phase current)：三相交流电路中，流过每相电源或每相负载的电流。
47  线电压(line voltage)：三相交流电路中，相线与相线之间的电压。
48  线电流(line current)：三相交流电路中，流过相线的电流。
49  电源的星形联结(y-connected source)：将三相电源绕组的三个末端u2、v2、w2联在一起，成为一个公共点，用n表示。由三相电源绕组的三个首端u1、v1、w1引出三根相线l1、l2、l3与外电路连接，n点也可以引出一根中线与外电路连接，这种接法称为电源的星形联结。
 
第二部分
  
1  磁感应强度 (flux density)：表示磁场内某点的磁场强弱和方向的物理量，单位是特斯拉（t）,用符号b表示。其大小可用通电导体在磁场中受力的大小来衡量，即 （该导体与磁场方向垂直），其方向与产生磁场的电流的方向遵循右螺旋关系。磁感应强度也叫磁通密度。
2  磁场强度 (magnetizing force)：磁场强度h与磁感应强度b的关系是 （为磁导率），是一种引用的物理量，用来表示磁场与电流之间的关系。
3  磁通 (flux)：磁感应强度与垂直于磁场方向的面积的乘积叫做磁通，单位是韦伯（wb）。
4  磁导率（permeability）：又称导磁系数，是衡量物质的导磁性能的一个物理量，可通过测取同一点的b、h值确定。物质按导磁性能的不同分为磁性物质（或称铁磁物质，如铁、钴、镍及其合金）和非磁性物质（如铜、铝、橡胶等绝缘材料及空气）。非磁性物质的磁导率近似等于真空的磁导率，而铁磁性物质的磁导率远大于真空的磁导率，即 >> 。
5  磁滞 (hysteresis)：铁磁体在反复磁化的过程中，其磁感应强度的变化总是滞后于它的磁场强度，这种现象叫磁滞。
6  磁滞回线 (hysteresis loop)：在磁场中，铁磁体的磁感应强度与磁场强度的关系可用曲线来表示，当磁化磁场作周期性变化时，铁磁体中的磁感应强度与磁场强度的关系是一条闭合线，这条闭合线叫做磁滞回线。
7  基本磁化曲线 (fundamental magnetization curve)：铁磁体磁滞回线的形状与磁感应强度（或磁场强度）的最大值有关，在绘制磁滞回线时，如果对磁感应强度（或磁场强度）最大值取不同的数值，就得到一系列的磁滞回线，连接这些回线顶点的曲线叫基本磁化曲线。
8  磁饱和（magnetic saturation）：在磁化曲线中，当磁场强度增加到一定值以后，磁场强度继续增加，而磁感应强度却增加得很少的现象。
9  磁滞损耗 (hysteresis loss)：放在交变磁场中的铁磁体，因磁滞现象而产生一些能量损耗，从而使铁磁体发热，这种损耗叫磁滞损耗。
10  磁路 (magnetic circuit)：为了使较小的电流产生较大的磁通，常将铁磁性材料做成一定形状的铁心，磁通的绝大部分经过铁心闭合，这种由铁心（含气隙）构成的磁通的通路，称为磁路。
11  磁通势 （magnetomotive force）：线圈的匝数n与电流i的乘积称为磁通势f。
12  磁阻 (reluctance)：磁阻定义为 ，其中为磁路的平均长度，s为磁路的平均截面积， 为磁导率。
13  一次绕组 (primary winding)：与电源相联的绕组，也称原绕组或初级绕组。
14  二次绕组 (secondary winding)：与负载相联的绕组，也称副绕组或次级绕组。
15 k8凯发-凯发k8国际首页登录 (ratio of transformation)：即为变压器一次、二次绕组的匝数比，用k表示。实际中也常用变压器的额定电压之比表示变压器的变比。
16  电压调整率（voltage regulation）：当变压器外加电源电压一定，变压器从空载到负载运行时，二次绕组电压的变化程度。它反映了变压器供电电压的稳定程度。公式表示为
17  额定电流（rated current）：变压器的额定电流是指按规定工作方式（长时连续工作或短时工作或间歇工作）运行时一次、二次绕组允许通过的最大电流，是根据绝缘材料允许温度确定的。
18  额定电压（rated voltage）：受绝缘强度和允许温升的限制，使变压器长期可靠工作的电压。实际中，用变压器空载时一次、二次绕组的电压表示。
19  额定容量(rated capacity)：额定电压与额定电流的乘积称为变压器的额定容量，单位为伏·安（va）。变压器的额定容量反映了传送功率的能力。
20  铜损（copper loss）：在交流铁心线圈中，线圈电阻上的发热损耗，称为铜损。
21  铁损（core loss）：在交流铁心线圈中，处于交变磁化下的铁心中的功率损耗，称为铁损。铁损包含磁滞损耗和涡流损耗两部分。
22  涡流损耗（eddy current loss）：在交变磁场作用下，铁心中产生感应电动势，这将在垂直于磁通方向的铁心平面内产生旋涡状的感应电流，称为涡流。由涡流在铁心内产生的发热损耗，称为涡流损耗。
23  同名端（common polarity terminal）：又称同极性端，当电流从两个线圈的同名端流入（流出）时，产生的磁通方向相同；或者当磁通变化时，在同名端感应电动势的极性相同。
24  效率（efficiency）：是变压器的输出功率p2与对应的输入功率p1的比值，通常用百分数表示。
25  电磁铁(electromagnet)：是利用电磁力实现某一机械动作的多用途的电磁元件。
26  异步电动机 (induction motor)：又称感应电动机，可将交流电能转换为机械能，其电动机的转子转速总是低于旋转磁场的转速（同步转速），故称异步电动机。
27  定子（stator）：电机固定不动的部分称为定子，由机座和装在机座内的圆筒形铁心以及其中的定子绕组组成。
28  转子（rotor）：电机旋转并拖动机械负载的部分称为转子。由转子铁心、转子绕组和转轴等几部分组成。三相异步电动机根据构造上的不同分为两种型式：鼠笼型和绕线型。
29  同步电动机 （synchronous motor）：是一种交流电机，可将交流电能转换为机械能，其电动机的转子转速为某一固定的同步转速，故称同步电动机。
30  旋转磁场 (rotating magnetic field)：当三相异步或同步电动机的定子绕组中通入三相电流后，所生合成磁场随电流的交变而在空间以固定转速旋转，称为旋转磁场。
31  同步转速 (synchronous speed)：三相异步电动机的旋转磁场的转速称为同步转速，用 表示，（f为电源频率，p为电机绕组的极对数）。
32  转差率 (slip)：表示三相异步电动机的转子转速（n）与旋转磁场转速（n0）相差程度的物理量，即，是表示异步电动机运行状态的重要参数。
33  电磁转矩 (electromagnetic torque)：三相异步电动机转子电流与旋转磁场的相互作用产生电磁力，使电动机转子产生电磁转矩，其大小与转子电流以及旋转磁场每极磁通成正比。
34  k8凯发-凯发k8国际首页登录 (mechanical characteristics)：在一定的电源电压和转子电阻之下，转矩与转差率的关系或转速与转矩的关系称为异步电动机的机械特性。通过机械特性，可以研究电动机的运行性能。
35  起动（start）：异步电动机由静止状态过渡到稳定运行状态的过程称为异步电动机的起动。在选择起动方法时应考虑是否有足够的起动转矩和起动电流的限制。
36  调速（speed regulation）：指电动机在同一负载下得到不同的转速，以满足实际需要。异步电动机调速的方式一般包括：变极调速、变频调速、变转差调速、调压调速和转子电路串电阻调速等。
37  制动（brake）：指电动机的转矩t与电动机转速n的方向相反时的情况，此时电动机的电磁转矩起制动作用，使电动机很快停下来。异步电动机的制动方式一般包括电源反接制动和能耗制动。
38  起动系数(start coefficient)：电动机的起动转矩与额定转矩之比称为起动系数，它衡量了电动机起动能力的大小。一般异步电动机的起动系数为1.7～2.2。
39  过载系数(overload coefficient)：电动机的最大转矩与额定转矩之比称为过载系数，它衡量了电动机过载能力的大小。一般异步电动机的过载系数为1.8～2.2。
40  脉振磁场（pulsating magnetic field）：单相异步电动机的定子绕组是单相绕组，工作时定子绕组接在单相交流电源上，单相电流通过单相绕组产生与绕组轴线一致、而大小和方向随时间作正弦规律变化的交变磁场，称为脉振磁场。
41  直流电动机(direct-current motor)：将直流电能转化为机械能的旋转机械装置。
42  电枢(electric armature)：是直流电动机的转子，包括电枢铁心、电枢绕组和换向器等三部分，用于产生电动势和电磁转矩，从而将电能转换为机械能，其地位是枢纽作用。
43  换向器(commutator)：亦称整流子，起整流作用，由楔形铜片组成，彼此绝缘。安装于转轴上，是直流电动机的构造特征。其作用是使电枢绕组中的电流方向是交变的，以保证其电磁转矩方向始终不变。
44  电枢电势(counter-electromotive force):电动机电枢线圈通电后在磁场中受力而旋转。当电枢在磁场中转动时，线圈中也要产生感应电动势，称为电枢电势。由右手定则，电枢电势的方向与电流、或外加电压的方向总是相反，故又称反电动势。
45  k8凯发-凯发k8国际首页登录(acceleration of motor)：是指励磁绕组如何供电、产生励磁磁通势以建立主磁场的方式。根据励磁方式不同，直流电机可分为他励、并励、串励和复励四种。
46  他励电动机(separated excited motor)：他励电动机的励磁绕组和电枢绕组互不相连，分别由独立电源供电。
47  并励电动机(shunt motor)：并励电动机的励磁绕组和电枢绕组相并联，由同一电源供电。
48  串励电动机(series motor)：串励电动机的励磁绕组和电枢绕组相串联，由同一电源供电。
49  复励电动机(compound motor)：复励电动机有两个绕组，一个与电枢绕组相并联，称为并励绕组；另一个与电枢绕组相串联，称为串励绕组。然后，由同一电源供电。
50  伺服电动机(servomotor)：又称执行电动机，是一种控制电机，可将输入的电压信号转换为轴上的角位移或角速度输出，以驱动控制对象，可分为交流伺服电动机（用交流电源）和直流伺服电动机（用直流电源）。
51  步进电动机(stepmotor)：又称脉冲电动机，是一种控制电机，利用电磁铁的作用原理可将电脉冲信号转换为角位移。即电动机每输入一个脉冲信号，步进电动机便转过一定角度。电动机转过的总角度与输入脉冲数成正比，故转速与脉冲频率成正比。
52  组合开关（switch）：又称转换开关，常用于电源的引入开关，也可直接驱动小容量电动机的起停，也可控制局部照明电路。
53  按钮(button)：通常用于接通或断开电动机的控制电路。其动作原理是将按钮帽按下时，常闭触点先断开，以分断某一控制线路；而常开触点后闭合，以接通另一控制电路。松开按钮帽，在弹簧的作用下，触点的通断状态恢复常态。
54  行程开关(travel switch)：又称限位开关，用于控制某些机械的行程和限位。其作用原理是，生产设备上安装的挡铁触动行程开关的操作机构，使其触头闭合或断开，发出电控信号。行程开关有机械式和电子式两种类型。
55  熔断器(fuse)：是一种最简便有效的电动机短路保护电器。一般串接于电动机主电路或控制电路中，一旦发生短路或严重过载，熔断器立即熔断，切断电源，避免事故扩大。熔断器也可用于照明电路的过载保护。
56  继电器(relay)：是一种根据外界输入信号（电量或非电量）来控制电路通断的自动切换电器。它主要用来反映各种控制信号，触点通常接在控制电路中。根据所传递信号不同可分为：电流继电器、电压继电器、热继电器、时间继电器、中间继电器等。根据动作原理可分为：电磁式、感应式、电子式、热继电器等。
57  中间继电器（intermediate relay）：利用线圈通电控制触点动作，主要用在辅助电路中，其额定电流比较小，一般不超过5a，而触点的数量较多。
58  热继电器（thermal relay）：利用电流的热效应控制触点的动作，常用于电动机的过载保护。
59  时间继电器（time relay）:可实现延时控制，种类很多，原理结构各不相同，常用的时间继电器有空气阻尼式、电动式和电子式等。
60  断路器（circuit breaker）：又称空气开关或自动开关，可实现短路、过载和失压保护。
61  主电路（main circuit）:直接供电给电动机、电流较大的电路，包括电源及其引入开关、熔断器、接触器主触点和电动机等设备。
62  辅助电路（controlled circuit）:用于完成信号传递及逻辑控制、电流较小的电路。由于可按一定规律控制主电路，所以又称控制电路。通常由按扭、接触器线圈、辅助触点、继电器等控制电器组成。
63  自锁(self-locking)：当起动按钮松开时，由于与之并联的接触器辅助常开触点和主触点同时闭合，因而使接触器线圈电路仍然接通，主触点保持闭合位置，电动机继续运转。故称这个辅助触点为自锁触点，完成自锁功能。
64  接触器(contactor)：接触器是最常用的一种自动开关，主要由电磁铁和触点两部分组成，是利用电磁吸力使触点闭合或分断的电器。它根据外部信号（如按钮或其他电器的触点的闭合或分断）来接通或断开带有负载的电路。适合于频繁操作的远距离控制,并具有失压保护的功能，一般作为电动机接通电源的主开关。
65  互锁(mutual-locking)：控制电路中，一个接触器kmf的常闭辅助触点串接在另一个接触器kmr的闭合电路中，而kmr的一对常闭辅助触点串接在kmf的线圈电路中。这两个交叉串联的常闭触点称为互锁触点。互锁使两个接触器不同时工作。
66  可编程控制器(programmable logic controller):即plc，是一种数字运算操作的电子系统装置，专为在工业现场应用而设计。plc采用可编程序的存储器，用来在其内部存储执行逻辑运算、顺序控制、定时/计数和算术运算等操作的指令，并通过数字式或模拟式的输入和输出，控制各种类型的机械或生产过程。可编程控制器及其有关设备都应按易于与工业控制器联成一个整体和易于扩充其功能的原则进行设计。
67  软继电器(virtual relay)：在plc中也称为编程元件，虽沿用继电器、触点、线圈等概念，但实际上并不存在对应的物理实体，而仅仅是plc内部的一些存贮单元，因此常称为"虚拟元件"或"软元件"，它们之间的连接就称为"软连接"。
68  梯形图(diagram)：是一种从继电接触器控制电路图演变而来的图形语言,借助类似继电器的常开/常闭点、线圈以及串/并联等术语和符号，根据用户要求而连接成的表示plc输入和输出之间的逻辑关系的图形。
69  语句表（statement list）:用指令的助记符进行编程的方法
 
 
 第三部分
 
         
       1   能将电信号转换成可在屏幕上直接观察的图像。现代示波器不仅能定性观察电路的动态过程，还能定量测量各种电参数，如信号的幅度、频率、周期、相位等。有些示波器还具有快速变换（fft）等功能。
2   晶体管毫伏表 ( transistor millivoltmeter )：用来专门测量电压的电子仪表。与一般指示仪表相比，主要优点是测量频率范围宽（dfb217系列：5hz—2mhz）、量程多（dfb217系列：30v-300v）。
3   信号源（function generator）：能产生各种不同频率、波形、幅度信号的仪器，也称信号发生器。
4   电阻器的标称值（nominal  resistance ）：指电阻器标注阻值和误差的大小。标称值不是连续的数值，而是由国家或行业标准规定。阻值和误差标注的方法有文字直接标注和色环标注。其单位为ω（欧）、kω（千欧）、mω（兆欧）。
5   电阻测量法（resistance measurement）：在不接通电源的情况下，使用万用表的欧姆档测量电阻阻值的实验与检测方法，常用于判断导线或元件的通断等。
6   电压测量法（voltage measurement）：在电源接通的情况下，使用电压表测量电路中有关各点的电位或两点间电压的实验与检测方法，常用于分析和寻找故障。
7   电阻元件的允许误差（resistance tolerance）：指电阻器和电位器的实际阻值相对于标称阻值的最大允许偏差范围。
8   电位器 (regulation-resistance)：是一种具有三个端子的可变电阻器，其阻值在一定范围内连续可调。
9   电容器的标称容量（nominal  capacitance）：指电容器电容量的大小。标称容量不是连续的数值，而是由国家或行业标准规定。电容器标注方法有文字直接标注和色标法。常用单位有μf（微法）和pf（皮法）。
10  电容器的耐压值（withstand voltage of capacitor）：在技术条件所规定的温度、压力和湿度下，电容器长期工作所承受的最大电压。
11   色标法 (colour code)：指用不同颜色的带、环或点在产品表面上标志出主要参数的标志方法。
12   静态调试 (static testing and troubleshooting)：电子电路中，在没有外加信号的条件下（通常将电路信号输入端接地，以防干扰）所进行的直流测试和调整过程。
13   动态调试 (dynamic testing and troubleshooting)：电子电路中，输入端接入信号，按信号的流向逐级检测各有关点的参数、波形和性能指标是否满足设计要求。
14  直接观察法 (direct observe) ：不使用任何仪器，只凭人的视觉、听觉、嗅觉以及直接触摸元器件作为手段来寻找和分析故障的方法。
15  参数测试法 (parameters measurement)：借助仪器测试电路中各点参数并与理论分析结果进行比较，如万用表测各点电压值是否正常。
16  替代法 (replace way)：用正常元器件或已调好的单元电路取代可疑部分，判断故障点。如替代后故障消除，则可确定所怀疑的元器件或单元电路有问题。
 
 
 
 第四部分
 
 
 
1  安全电压（safe voltage）：如果通过人体的电流在0.05a以上时，就有生命危险。一般说，接触36v以下的电压，通过人体的电流不致超过0.05a，故把36v的电压作为安全电压。如果在潮湿的场所，安全电压还要规定得低一些，通常是24v和12v。e50401000001
2  触电（electric shock）：触电是指由于不慎触及带电体时，因电流流过人体使其受到各种不同的伤害。触电可分为直接触电和间接触电两类。按人体所受伤害方式的不同，触电又可分为电击和电伤两种。e50402000001
3  直接触电（direct contact electric shock）：直接触电是指人体直接接触到电器设备正常带电部分引起的触电，如单线触电和两线触电。e50402000002
4  间接触电（indirect contact electric shock）：间接触电是指人体接触到正常情况下不带电、仅在事故情况下才会带电的部分而发生的触电。e50402000003
5  单相触电（single phase electric shock）：在380/220v低压供电系统中，人体直接接触到一根裸露的相线时，称为单相触电，也称单线触电。e50402000004
6  两相触电（double  phase electric shock）：在380/220v低压供电系统中，人体直接接触到两根裸露的相线时，称为两相触电，也称两线触电。e50402000005
7  跨步电压（step voltage）：人体进入地面带电的区域时，两脚之间承受的电压称为跨步电压。e50402000006
8  跨步电压触电（step voltage electric shock）：由跨步电压造成的触电称为跨步电压触电。e50402000007
接地（earth）：将电气设备的任何部分与大地作良好的电气联结，称为接地。e50403000001
10  接零（connect to neutral）：把电气设备的外壳和电源接地的中线（零线）连接起来，称为接零。e50403000002
11  电击（electrical shock）：电击，主要是电流通过人体内部，影响呼吸系统、心脏和神经系统，造成人体内部组织的破坏，甚至导致死亡。e50402000008
12  电伤（electrical injury）：电伤，主要是指电流的热效应、化学效应、机械效应等对人体表面或外部造成的局部伤害。e50402000009
13  工作接地（working earth）：为了保证电力系统安全正常运行，将三相电源的中点接地，这种接地方式称为工作接地。这时的中线通常又称地线。e50403000003
14  保护接地（protective earth）：在电源的中性点不接地的三相三线制供电系统中，将用电设备的金属外壳通过接地装置与大地作良好的导电连接，这种保护措施称为保护接地。这一系统称为it系统。e50403000004
15 保护接零（protective connect to neutral）：在电源的中性点接地的三相四线制供电系统中，将用电设备的金属外壳与零线可靠连接，这种保护措施称为保护接零。这一系统称为tn系统。e50403000005
16  重复接地（repetitive earth）：为了保证电力系统安全正常运行，除了在电源中性点进行工作接地外，还要在零线的一定间隔距离及终端进行多次接地，称为重复接地。e50403000006
17  漏电开关（leakage switch）：漏电开关是漏电电流动作保护装置的简称，主要用于低压供电系统防止直接和间接接触的单线触电事故，同时还能起到防止由漏电引起的火灾和用于监测或切除各种单相接地故障的作用。有的漏电开关还兼有过载、过压或欠压及缺相等保护功能。e50403000007
18  静电（static electricity）：静电是指在宏观范围内暂时失去平衡的相对静止的正、负电荷，是由于物体间相互摩擦或感应而产生的。e50404000001
19 雷电（lightning）：雷电是一种大气放电的现象，是由带有不同电荷的云层放电而产生的。在放电过程中产生强烈的电光（闪电）和巨响（雷鸣），同时还将产生强大的电压和电流，雷电压可高达几十万～几百万伏，雷电流可高达几千安。时间虽短，但能量极大，足以使建筑物和电气设备受到破坏。e50405000001
20  直击雷（direct lightning strike）：直击雷是指雷云与带异性电荷的建筑物之间的放电。e50405000002
感应雷（lighting induction）：感应雷分静电感应和电磁感应两种：
（1）静电感应（electrostatic induction）：由于雷云在建筑物的顶部感应了大量异性电荷，雷云放电后，顶部的电荷顿时失去束缚，对地呈现高电压。
（2）电磁感应（electromagnetic induction）：雷击时巨大的雷电流在周围空间产生的迅速变化的强大电磁场，这种电磁场也会在附近的金属导体上感应出很高电压。e50405000003
22  避雷针（lightning rod）：避雷针一般应用在各种电气设备、变电所、高大建筑物和烟囱上。其原理是将云中电荷引到金属针上并安全导入地中，故可形象地称之为"引雷针"。避雷针有三个组成部分：（1）接闪器（针头）；（2）接地引下线，或称引下线或接地线；（3）接地装置。e50405000004
23  避雷线（lightning wire）：避雷线用在35kv以上的高压输电线上，一般架设在电力线之上，在电杆处用引下线与接地装置连接引到大地中。其原理是避雷线高于导线，首先被雷电击中，将雷电流导入大地。e50405000005
24  避雷器（lightning arrester）：避雷器是防止设备受到雷波、雷电的电磁作用而产生感应过电压的保护装置。e50405000006


第五部分


       1  导体（conductor）：容易传导电流的材料称为导体，如金属、电解液等。e50601010101
2  绝缘体（nonconductor）：几乎不传导电流的材料称为绝缘体，如橡胶、陶瓷、石英、塑料等。e50601010102
3  半导体（semiconductor）：导电能力随外界条件发生显著变化的材料称为半导体，如硅（si）、锗（ge）和砷化镓（gaas）等。e50601010103
4  本征半导体（intrinsic semiconductor）：不含杂质，完全纯净的、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。e50601010104
5  杂质半导体（extrinsic semiconductor）：在本征半导体中掺入微量的杂质元素，其导电性能就会发生显著的改变。掺有杂质的本征半导体称为杂质半导体。因掺入杂质的不同，杂质半导体分为n型半导体和p型半导体。e50601010105
6  n型半导体（n-type semiconductor）：在本征半导体中掺入微量五价元素（如磷（p）、砷（as））的杂质后，自由电子成为多数载流子，而空穴成为少数载流子。这种主要依靠自由电子导电的杂质半导体称为n型半导体。e50601010106
7  p型半导体（p-type semiconductor）：在本征半导体中掺入微量三价元素（如硼（b）、铟（in））的杂质后，空穴成为多数载流子，而自由电子成为少数载流子。这种主要依靠空穴导电的杂质半导体称为p型半导体。e50601010107
8  空穴（hole）：电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后所留下的空位称为空穴。空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点，通常可将空穴视为带正电的粒子。e50601010108
9  载流子（carrier）：在半导体中，将能移动的电荷统称为载流子，包括电子和空穴。e50601010109
10  扩散（diffusion）：在p型半导体和n型半导体的交界处，由于多数载流子浓度的差别，载流子将从浓度较高的区域向浓度低的区域运动，多数载流子的这种运动称为扩散。扩散和漂移产生方向相反的电流。e50601010201
11  漂移（drift）：在扩散产生的内电场作用下，少数载流子有规则的运动，称为漂移运动，简称漂移。漂移和扩散产生方向相反的电流。e50601010202
12  pn结（pn junction）：由于载流子的扩散和漂移，在p区和n区交界处的两侧形成一个空间电荷区（space-charge region），这个空间电荷区称为pn结。pn结也称为耗尽层或阻挡层。e50601010203
13  耗尽层（depletion layer）：在空间电荷区中，多数载流子扩散到对方并被复合掉，或者说多数载流子被消耗尽了，所以这个空间电荷区也称为耗尽层。e50601010204
14  阻挡层（barrier layer）：在空间电荷区中，由静止电荷所建立的内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用，所以这个空间电荷区又称为阻挡层。e50601010205
15  偏置（bias）：在pn结上外加一定的电压，称为偏置。在pn结上加正向电压，称为正向偏置，简称正偏（forward bias）；在pn结上加反向电压，称为反向偏置，简称反偏（reverse bias）。e50601010206
16  半导体二极管（pn junction diode）：在一个pn结的p区和n区分别加上相应的电极引线，外加管壳密封制成的器件，称为半导体二极管。e50601020101
17 二极管导通压降（forward voltage of a pn junction diode）：二极管正向导通时其两端所加的电压称为二极管导通压降，如硅管的导通压降为0.6v~0.7v，锗管为0.2v~0.3v，砷化镓为1.3 ~1.5v等。e50601020201
18  二极管的伏安特性（current-voltage characteristics of a pn junction diode）：二极管的端电压与流过二极管的电流之间的关系称为二极管的伏安特性。e50601020202
19  死区（dead zone）：当二极管所加的正向电压较小时，由于外部电场不足以克服内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力，因此这时的正向电流很小，二极管呈现较高的电阻。这段区域称为“死区”。e50601020203
20  最大反向工作电压（maximum peak reverse voltage）：指二极管安全工作时所能承受的最高反向电压。一般规定最大反向工作电压为反向击穿电压的1/2~2/3。e50601020302
21  反向饱和电流（reverse saturation current）：在二极管两端外加反向电压不超过一定范围时，由少数载流子的漂移形成很小的反向电流。在一定温度下，一定范围内增加反向电压不会使少数载流子的数目明显增加，即反向电流与反向电压基本无关，故此时的反向电流通常称为反向饱和电流。e50601020303
22  整流（rectification）：将交流电转变为直流电的过程叫整流。e50605010001
23  滤波（filtering）：将交流电转变为直流电的过程叫整流。将整流输出的单向脉动电压变换为脉动程度小的平滑直流电压的过程称为滤波。e50605020001
24  参数（parameter）：表征元器件特性或描述元器件安全工作范围的一些数据称为参数。参数一般可从手册中查到。e50601020301
25  稳压管（zener diode）：稳压管又称齐纳二极管，是工作在反向击穿区的特殊硅二极管，常利用它在反向击穿状态下的恒压特性构成简单的稳压电路。e50601020401
26  温度系数（temperature coefficient）：表征元器件温度敏感性的参数。通常用某个电压变化的百分数与元器件工作环境温度的变化量的度数之比来表示，由元器件生产厂提供。当环境温度上升时，元器件的有关参数值也上升，称为正温度系数；反之为负温度系数。例如稳压管，稳定电压在6伏以上时，温度系数为正； 6伏以下时，温度系数为负。e50601020402
27  双极型晶体管（ bipolar junction transistor ，bjt）：双极型晶体管是一种具有两种载流子（自由电子和空穴）参与导电，并有三个电极的电流控制型器件。e50601030001
28  场效应晶体管（field-effect transistor ，fet）：场效应晶体管是一种具有一种载流子（自由电子或空穴）参与导电、并有三个电极的电压控制型器件。场效应晶体管可分为结型和绝缘栅型两大类，绝缘栅型场效应晶体管（insulated gate type fet）又称为mos场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mos fet）。e50601040001
29  共发射极电路（common-emitter circuit）：利用晶体管组成的放大电路，其中总有一个电极是信号的输入、输出回路的公共端，而另外两个电极分别是输入端和输出端。当发射极作为信号的输入、输出回路的公共端，基极是输入端、集电极是输出端所组成的电路就称为共发射极电路。e50602010101
30  共集电极电路（common-collector circuit）：利用晶体管组成的放大电路，其中总有一个电极是信号的输入、输出回路的公共端，而另外两个电极分别是输入端和输出端。当集电极作为信号的输入、输出回路的公共端，基极是输入端、发射极是输出端所组成的电路就称为共集电极电路，也称为射极输出器、射极跟随器。e50602010102
31  共基极电路（common-base circuit）：利用晶体管组成的放大电路，其中总有一个电极是信号的输入、输出回路的公共端，而另外两个电极分别是输入端和输出端。当基极作为信号的输入、输出回路的公共端，发射极是输入端、集电极是输出端所组成的电路就称为共基极电路。e50602010103
32  输入特性（input characteristics）：输入电压与输入电流之间的关系，称为输入特性。一般用曲线表示，称为输入特性曲线。e50601030301
33  输出特性（output characteristics）：输出电流与输出电压之间的关系，称为输出特性。一般是以某一输入量为参变量的一族曲线。e50601030302
34  电流放大系数（current amplification coefficient）：表征bjt电流控制作用的参数，例如共基极接法时的电流放大系数α、共射极接法时的电流放大系数β。e50601030201
35  集电极—基极反向饱和电流icbo（collector –base reverse saturation current）：集电极—基极反向饱和电流指发射极开路时，集电结在反向电压的作用下，集电区的少数载流子向基区漂移而形成的反向电流。e50601030401
36 集电极—发射极反向饱和电流iceo（collector-emitter reverse saturation current）：集电极—发射极反向饱和电流又称穿透电流，是指当基极开路时，集电极和发射极之间流过的电流。e50601030402
37  集电极最大允许电流icm（maximum collector permitted current）：集电极最大允许电流是指晶体管参数的变化不超过规定允许值时（功率与电压未超过额定值，一般指β值没有下降到正常参数的 时）集电极电流的最大值。e50601030403
38  集电极最大允许耗散功率pcm（maximum collector permitted power dissipation）：晶体管安全工作时，集电结的功率最大值，如果超过此值，器件就可能损坏。e50601030404
39  放大（amplification）：输出信号（电流、电压或功率）比输入信号大，称为放大。其实质是通过电子器件的控制作用，将直流电源的能量转化为负载所需要的电能形式。e50602000001
40  微变等效电路（small-signal equivalent circuit）：输入微小信号时放大电路的等效电路称为微变等效电路。e50602030201
41  微变等效电路分析法（small-signal equivalent analysis）： 指放大电路输入信号较小（微变信号）时，可将非线性电路等效为线性电路，借助线性电路的分析方法进行分析，这种特定的分析方法称为微变等效电路分析法。e50602030202
42  静态（quiescent state）：在放大电路中，输入端未加输入信号（ ）时的工作状态称为放大电路的静态。 e50602020001
43  静态工作点（quiescent operating point）：静态时，在晶体管的输入特性和输出特性上所对应的工作点，用q表示。e50602020002
44  静态分析（quiescent state analysis）：确定放大电路的静态工作点，即确定电路中静态的相关参数。e50602020003
45  动态（dynamic state）：在放大电路中，输入端加入输入信号（ ）时的工作状态称为放大电路的动态。e50602030001
46  动态分析（dynamic state analysis）：确定放大电路的相关动态参数，如电压放大倍数 、输入电阻和输出电阻 等。e50602030002
47  输入电阻 （input resistance）：放大电路对信号源（或对前级放大电路）来说是一个负载，它可以用一个等效电阻来替代，这个等效电阻就是放大电路的输入电阻。输入电阻是一个动态电阻。e50602030101
48  输出电阻 （output resistance）：放大电路对负载（或对后级放大电路）来说，可以等效为一个电源模型，该电源模型的内阻定义为放大电路的输出电阻。输出电阻是一个动态电阻。e50602030102
49  电压放大倍数 （voltage amplification factor）：电压放大倍数是衡量放大电路放大输入信号能力的基本参数，定义为输出电压与输入电压之比，即 。e50602030103
50  开环（open-loop）：输出信号对输入不存在任何作用时电路所处的状态称为开环。e50603020102
51  闭环（closed-loop）：输出信号对输入存在作用时电路所处的状态称为闭环。e50603020103
52  增益（gain）：输出信号与输入信号之比的模量称为增益。包括电流增益、电压增益和功率增益等。工程上常用以10为底的对数表达，其单位为分贝（db）。e50602030104
53  失真（distortion）：输出信号的波形未能完全复现输入信号的波形的现象称为失真。e50602020201
54  非线性失真（nonlinear distortion）：由元器件的非线性引起的失真称为非线性失真，其特点是产生新的频率。在放大电路中，非线性失真主要指由于静态工作点不合适或者信号太大，使放大电路的工作范围超出了晶体管线性区所产生的失真，包括截止失真和饱和失真。e50602020202
由于晶体管的截止引起的非线性失真称为截止失真（cut-off distortion）。
由于晶体管的饱和引起的非线性失真称为饱和失真（saturation distortion）。
55  交越失真（crossover distortion）：在乙类互补功放电路里,两个功放管交替工作，在信号过零前后功放管静态工作电流接近零，功放管进入截止区，由此造成的输出波形失真称为交越失真。e50602070301
56  效率（efficiency）：输出功率与输入功率之比的百分数称为效率。e50602070202
57  图解法（graphical analysis）：在晶体管输入、输出特性曲线上，通过图解分析放大电路的工作状态和性能参数的方法，称为图解法。e50602020203



第六部分


       1  导体（conductor）：容易传导电流的材料称为导体，如金属、电解液等。e50601010101
2  绝缘体（nonconductor）：几乎不传导电流的材料称为绝缘体，如橡胶、陶瓷、石英、塑料等。e50601010102
3  半导体（semiconductor）：导电能力随外界条件发生显著变化的材料称为半导体，如硅（si）、锗（ge）和砷化镓（gaas）等。e50601010103
4  本征半导体（intrinsic semiconductor）：不含杂质，完全纯净的、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。e50601010104
5  杂质半导体（extrinsic semiconductor）：在本征半导体中掺入微量的杂质元素，其导电性能就会发生显著的改变。掺有杂质的本征半导体称为杂质半导体。因掺入杂质的不同，杂质半导体分为n型半导体和p型半导体。e50601010105
6  n型半导体（n-type semiconductor）：在本征半导体中掺入微量五价元素（如磷（p）、砷（as））的杂质后，自由电子成为多数载流子，而空穴成为少数载流子。这种主要依靠自由电子导电的杂质半导体称为n型半导体。e50601010106
7  p型半导体（p-type semiconductor）：在本征半导体中掺入微量三价元素（如硼（b）、铟（in））的杂质后，空穴成为多数载流子，而自由电子成为少数载流子。这种主要依靠空穴导电的杂质半导体称为p型半导体。e50601010107
8  空穴（hole）：电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后所留下的空位称为空穴。空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点，通常可将空穴视为带正电的粒子。e50601010108
9  载流子（carrier）：在半导体中，将能移动的电荷统称为载流子，包括电子和空穴。e50601010109
10  扩散（diffusion）：在p型半导体和n型半导体的交界处，由于多数载流子浓度的差别，载流子将从浓度较高的区域向浓度低的区域运动，多数载流子的这种运动称为扩散。扩散和漂移产生方向相反的电流。e50601010201
11  漂移（drift）：在扩散产生的内电场作用下，少数载流子有规则的运动，称为漂移运动，简称漂移。漂移和扩散产生方向相反的电流。e50601010202
12  pn结（pn junction）：由于载流子的扩散和漂移，在p区和n区交界处的两侧形成一个空间电荷区（space-charge region），这个空间电荷区称为pn结。pn结也称为耗尽层或阻挡层。e50601010203
13  耗尽层（depletion layer）：在空间电荷区中，多数载流子扩散到对方并被复合掉，或者说多数载流子被消耗尽了，所以这个空间电荷区也称为耗尽层。e50601010204
14  阻挡层（barrier layer）：在空间电荷区中，由静止电荷所建立的内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用，所以这个空间电荷区又称为阻挡层。e50601010205
15  偏置（bias）：在pn结上外加一定的电压，称为偏置。在pn结上加正向电压，称为正向偏置，简称正偏（forward bias）；在pn结上加反向电压，称为反向偏置，简称反偏（reverse bias）。e50601010206
16  半导体二极管（pn junction diode）：在一个pn结的p区和n区分别加上相应的电极引线，外加管壳密封制成的器件，称为半导体二极管。e50601020101
17 二极管导通压降（forward voltage of a pn junction diode）：二极管正向导通时其两端所加的电压称为二极管导通压降，如硅管的导通压降为0.6v~0.7v，锗管为0.2v~0.3v，砷化镓为1.3 ~1.5v等。e50601020201
18  二极管的伏安特性（current-voltage characteristics of a pn junction diode）：二极管的端电压与流过二极管的电流之间的关系称为二极管的伏安特性。e50601020202
19  死区（dead zone）：当二极管所加的正向电压较小时，由于外部电场不足以克服内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力，因此这时的正向电流很小，二极管呈现较高的电阻。这段区域称为“死区”。e50601020203
20  最大反向工作电压（maximum peak reverse voltage）：指二极管安全工作时所能承受的最高反向电压。一般规定最大反向工作电压为反向击穿电压的1/2~2/3。e50601020302
21  反向饱和电流（reverse saturation current）：在二极管两端外加反向电压不超过一定范围时，由少数载流子的漂移形成很小的反向电流。在一定温度下，一定范围内增加反向电压不会使少数载流子的数目明显增加，即反向电流与反向电压基本无关，故此时的反向电流通常称为反向饱和电流。e50601020303
22  整流（rectification）：将交流电转变为直流电的过程叫整流。e50605010001
23  滤波（filtering）：将交流电转变为直流电的过程叫整流。将整流输出的单向脉动电压变换为脉动程度小的平滑直流电压的过程称为滤波。e50605020001
24  参数（parameter）：表征元器件特性或描述元器件安全工作范围的一些数据称为参数。参数一般可从手册中查到。e50601020301
25  稳压管（zener diode）：稳压管又称齐纳二极管，是工作在反向击穿区的特殊硅二极管，常利用它在反向击穿状态下的恒压特性构成简单的稳压电路。e50601020401
26  温度系数（temperature coefficient）：表征元器件温度敏感性的参数。通常用某个电压变化的百分数与元器件工作环境温度的变化量的度数之比来表示，由元器件生产厂提供。当环境温度上升时，元器件的有关参数值也上升，称为正温度系数；反之为负温度系数。例如稳压管，稳定电压在6伏以上时，温度系数为正； 6伏以下时，温度系数为负。e50601020402
27  双极型晶体管（ bipolar junction transistor ，bjt）：双极型晶体管是一种具有两种载流子（自由电子和空穴）参与导电，并有三个电极的电流控制型器件。e50601030001
28  场效应晶体管（field-effect transistor ，fet）：场效应晶体管是一种具有一种载流子（自由电子或空穴）参与导电、并有三个电极的电压控制型器件。场效应晶体管可分为结型和绝缘栅型两大类，绝缘栅型场效应晶体管（insulated gate type fet）又称为mos场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mos fet）。e50601040001
29  共发射极电路（common-emitter circuit）：利用晶体管组成的放大电路，其中总有一个电极是信号的输入、输出回路的公共端，而另外两个电极分别是输入端和输出端。当发射极作为信号的输入、输出回路的公共端，基极是输入端、集电极是输出端所组成的电路就称为共发射极电路。e50602010101
30  共集电极电路（common-collector circuit）：利用晶体管组成的放大电路，其中总有一个电极是信号的输入、输出回路的公共端，而另外两个电极分别是输入端和输出端。当集电极作为信号的输入、输出回路的公共端，基极是输入端、发射极是输出端所组成的电路就称为共集电极电路，也称为射极输出器、射极跟随器。e50602010102
31  共基极电路（common-base circuit）：利用晶体管组成的放大电路，其中总有一个电极是信号的输入、输出回路的公共端，而另外两个电极分别是输入端和输出端。当基极作为信号的输入、输出回路的公共端，发射极是输入端、集电极是输出端所组成的电路就称为共基极电路。e50602010103
32  输入特性（input characteristics）：输入电压与输入电流之间的关系，称为输入特性。一般用曲线表示，称为输入特性曲线。e50601030301
33  输出特性（output characteristics）：输出电流与输出电压之间的关系，称为输出特性。一般是以某一输入量为参变量的一族曲线。e50601030302
34  电流放大系数（current amplification coefficient）：表征bjt电流控制作用的参数，例如共基极接法时的电流放大系数α、共射极接法时的电流放大系数β。e50601030201
35  集电极—基极反向饱和电流icbo（collector –base reverse saturation current）：集电极—基极反向饱和电流指发射极开路时，集电结在反向电压的作用下，集电区的少数载流子向基区漂移而形成的反向电流。e50601030401
36 集电极—发射极反向饱和电流iceo（collector-emitter reverse saturation current）：集电极—发射极反向饱和电流又称穿透电流，是指当基极开路时，集电极和发射极之间流过的电流。e50601030402
37  集电极最大允许电流icm（maximum collector permitted current）：集电极最大允许电流是指晶体管参数的变化不超过规定允许值时（功率与电压未超过额定值，一般指β值没有下降到正常参数的 时）集电极电流的最大值。e50601030403
38  集电极最大允许耗散功率pcm（maximum collector permitted power dissipation）：晶体管安全工作时，集电结的功率最大值，如果超过此值，器件就可能损坏。e50601030404
39  放大（amplification）：输出信号（电流、电压或功率）比输入信号大，称为放大。其实质是通过电子器件的控制作用，将直流电源的能量转化为负载所需要的电能形式。e50602000001
40  微变等效电路（small-signal equivalent circuit）：输入微小信号时放大电路的等效电路称为微变等效电路。e50602030201
41  微变等效电路分析法（small-signal equivalent analysis）： 指放大电路输入信号较小（微变信号）时，可将非线性电路等效为线性电路，借助线性电路的分析方法进行分析，这种特定的分析方法称为微变等效电路分析法。e50602030202
42  静态（quiescent state）：在放大电路中，输入端未加输入信号（ ）时的工作状态称为放大电路的静态。 e50602020001
43  静态工作点（quiescent operating point）：静态时，在晶体管的输入特性和输出特性上所对应的工作点，用q表示。e50602020002
44  静态分析（quiescent state analysis）：确定放大电路的静态工作点，即确定电路中静态的相关参数。e50602020003
45  动态（dynamic state）：在放大电路中，输入端加入输入信号（ ）时的工作状态称为放大电路的动态。e50602030001
46  动态分析（dynamic state analysis）：确定放大电路的相关动态参数，如电压放大倍数 、输入电阻和输出电阻 等。e50602030002
47  输入电阻 （input resistance）：放大电路对信号源（或对前级放大电路）来说是一个负载，它可以用一个等效电阻来替代，这个等效电阻就是放大电路的输入电阻。输入电阻是一个动态电阻。e50602030101
48  输出电阻 （output resistance）：放大电路对负载（或对后级放大电路）来说，可以等效为一个电源模型，该电源模型的内阻定义为放大电路的输出电阻。输出电阻是一个动态电阻。e50602030102
49  电压放大倍数 （voltage amplification factor）：电压放大倍数是衡量放大电路放大输入信号能力的基本参数，定义为输出电压与输入电压之比，即 。e50602030103
50  开环（open-loop）：输出信号对输入不存在任何作用时电路所处的状态称为开环。e50603020102
51  闭环（closed-loop）：输出信号对输入存在作用时电路所处的状态称为闭环。e50603020103
52  增益（gain）：输出信号与输入信号之比的模量称为增益。包括电流增益、电压增益和功率增益等。工程上常用以10为底的对数表达，其单位为分贝（db）。e50602030104
53  失真（distortion）：输出信号的波形未能完全复现输入信号的波形的现象称为失真。e50602020201
54  非线性失真（nonlinear distortion）：由元器件的非线性引起的失真称为非线性失真，其特点是产生新的频率。在放大电路中，非线性失真主要指由于静态工作点不合适或者信号太大，使放大电路的工作范围超出了晶体管线性区所产生的失真，包括截止失真和饱和失真。e50602020202
由于晶体管的截止引起的非线性失真称为截止失真（cut-off distortion）。
由于晶体管的饱和引起的非线性失真称为饱和失真（saturation distortion）。
55  交越失真（crossover distortion）：在乙类互补功放电路里,两个功放管交替工作，在信号过零前后功放管静态工作电流接近零，功放管进入截止区，由此造成的输出波形失真称为交越失真。e50602070301
56  效率（efficiency）：输出功率与输入功率之比的百分数称为效率。e50602070202
57  图解法（graphical analysis）：在晶体管输入、输出特性曲线上，通过图解分析放大电路的工作状态和性能参数的方法，称为图解法。e50602020203
61  耦合（coupling）：在多级放大电路中，相邻两级放大电路之间的连接称为耦合。e50602060101
62  阻容耦合（resistance-capacitance coupling）：在多级放大电路中，相邻两级放大电路之间通过电阻、电容连接的方式称为阻容耦合。e50602060102
63  变压器耦合（transformer  coupling）：在多级放大电路中，相邻两级放大电路之间通过变压器传递信号的方式称为变压器耦合。e50602060103
64  直接耦合（direct coupling）：在多级放大电路中，相邻两级放大电路之间直接连接的方式称为直接耦合。e50602060104
65  光电耦合（photoelectric coupling）：利用光电效应进行放大器之间信号传递的方式称为光电耦合。e50602060105
66  光电效应（photoeffect）：指可见光、红外线或紫外线在某些物质上照射而引起的电子发射的过程。例如某些半导体材料受到光照时，其材料的电导率显著增加。e50602060106
67  零点漂移（zero drift）：零点漂移是指在放大电路中，当输入端无输入信号时，输出端的电压受外界因素影响偏离初始值，在初值上下漂动的（不稳定的）现象，简称零漂。e50603010101
70  虚短（virtual short）：工作在线性区域的集成运算放大器，其两个输入端之间的电压通常接近于零，即同相端的电位近似等于反相端的电位，这种近似短接，其实并未短接的现象称为虚短路，简称“虚短”。e50603010302
71  虚地（virtual ground）：工作在线性区域的反相输入运算放大器，因同相输入端接地，根据“虚短”的结论，其反相输入端的电位接近于“地”电位，其实并未接地，将这种现象称之为“虚地”。e50603010303
72  虚断（virtual break）：工作在线性区域的理想运算放大器，由于其输入电阻无穷大，同相输入端和反相输入端的输入电流几乎为零，这种相当于断路，其实并不能断路的状态称之为“虚断”。e50603010304
74  集成运算放大器（operational amplifier）：一种增益极高的多级直接耦合放大器，是一种重要模拟集成电路。e50603010102
84  复合晶体管（compound-connected transistor）：将两只或多只三极管的电极通过适当连接，作为一个管子来使用，即组成复合晶体管，或称达林顿（darlington）管。e50602070203
85  自激振荡（oscillation）：当放大电路的输入端无外加信号，而它的输出端仍有一定频率和幅度的信号输出，这种现象称为自激振荡。工程上常利用正反馈产生自激振荡。e50604010001
86  选频网络（frequency-selective network）：利用网络的谐振特性，将信号中与网络谐振频率相等的成分输出给负载，而将其他频率的信号加以抑制，具有该功能的网络称为选频网络。e50604010101
87  夹断电压 （pinch-off voltage）：在漏源电压为某一定值的条件下，耗尽型mos管中，使漏电流等于某一微小值时，栅—源极间所加的偏压就是夹断电压。增强型mos管无此参数。e50601040301
88  开启电压 （threshold voltage）：在漏源电压为某一定值的条件下，增强型mos管开始导通（漏电流出现）的最小的栅源电压值就是开启电压。耗尽型mos管无此参数。e50601040302
89  饱和漏极电流 （saturation drain current）：耗尽型mos管在栅源电压为零（即 ）的条件下，管子发生预夹断时的漏极电流称为饱和漏极电流。增强型mos管无此参数。e50601040303
90  低频跨导 （low-frequency  transconductance）：在低频条件下，在漏源电压为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量（）与引起这个变化的栅源电压微变量（ ）之比称为跨导，即 。e50601040304
91  n沟道（n-channel）：通常把p型衬底表面形成的n型薄层称为反型层，该反型层形成漏、源之间的n型导电沟道，简称n沟道。e50601040102
92  p沟道（p-channel）：通常把n型衬底表面形成的p型薄层称为反型层，该反型层形成漏、源之间的p型导电沟道，简称p沟道。e50601040103
93  增强型场效应管（enhancement type fet）：指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，在其栅压为零时漏极电流为零，即没有导电沟道。依靠外加栅压的正向增加，形成感生沟道，使漏极电流逐渐增加。这种导电沟道从无到有的过程称为增强。具有这种工作特点的场效应晶体管称为增强型场效应管。e50601040104
94  耗尽型场效应管（depletion type fet）：指一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管，在其栅压为零并且漏极电压一定时，就有较大的漏极电流，即存在导电沟道。随外加栅压的反向增加，漏极电流逐渐减小。这种导电沟道从有到无的性质称为耗尽。具有这种工作特点的场效应晶体管称为耗尽型场效应管。e50601040105
95  转移特性（transfer characteristics）：转移特性表征了在一定的下，与之间的关系：它是栅源电压 对漏极电流 的控制作用的体现。e50601040201
96  电力电子技术（power electronics）：电力电子技术是一门介于电力、电子和自动控制三大技术领域之间的边沿学科，或者说是以电力为对象的电子技术。它是利用电力半导体器件进行电能变换和控制的技术，其应用已渗透到国民经济的各个领域。e50606000001
97  晶闸管（thyristor）：又称可控硅整流器（scr），是一种大功率的四层三端半导体器件，习惯叫做可控硅。后又派生的器件如快速可控硅、双向可控硅、逆导可控硅。所有这些器件统称为晶体闸流管，简称晶闸管。通常所说的可控硅就是普通晶闸管，所有派生器件则属于特殊晶闸管。e5060601000198  可控整流（controlled  rectification）：在晶闸管承受正向电压的时间内，通过改变触发脉冲相位从而改变晶闸管的导通角来控制整流输出电压的大小，这种整流方式称为可控整流。
 
 
 

 

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